1.世界集成電路的發展歷史
1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第壹個裏程碑；
1950年：結型晶體管誕生；
1950年： r ohl和肖特萊發明了離子註入工藝；
1951年：場效應晶體管發明；
1956年：c s fuller發明了擴散工藝；
1958年：仙童公司robert noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：h h loor和e castellani發明了光刻工藝；
1962年：美國rca公司研制出mos場效應晶體管；
1963年：f.m.wanlass和c.t.sah首次提出cmos技術，今天，95]以上的集成電路芯片都是基於cmos工藝；
1964年：intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；
1966年：美國rca公司研制出cmos集成電路，並研制出第壹塊門陣列（50門）；
1967年：應用材料公司（applied materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備制造公司；
1971年：intel推出1kb動態隨機存儲器（dram），標誌著大規模集成電路出現；
1971年：全球第壹個微處理器4004由intel公司推出，采用的是mos工藝，這是壹個裏程碑式的發明；
1974年：rca公司推出第壹個cmos微處理器1802；
1976年：16kb dram和4kb sram問世；
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標誌著超大規模集成電路（vlsi）時代的來臨；
1979年：intel推出5mhz 8088微處理器，之後，ibm基於8088推出全球第壹臺pc；
1981年：256kb dram和64kb cmos sram問世；
1984年：日本宣布推出1mb dram和256kb sram；
1985年：80386微處理器問世，20mhz；
1988年：16m dram問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標誌著進入超大規模集成電路（vlsi）階段；
1989年：1mb dram進入市場；
1989年：486微處理器推出，25mhz，1μm工藝，後來50mhz芯片采用 0.8μm工藝；
1992年：64m位隨機存儲器問世；
1993年：66mhz奔騰處理器推出,采用0.6μm工藝；
1995年:pentium pro, 133mhz，采用0.6-0.35μm工藝；
1997年：300mhz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μm工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450mhz，采用0.25μm工藝，後采用0.18μm工藝；
2000年: 1gb ram投放市場；
2000年：奔騰4問世，1.5ghz，采用0.18μm工藝；
2001年：intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。
2003年：奔騰4 e系列推出，采用90nm工藝。
2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。
2007年：基於全新45納米high-k工藝的intel酷睿2 e7/e8/e9上市。
2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄采用了領先的32納米工藝，並且下壹代22納米工藝正在研發。
2.我國集成電路的發展歷史
我國集成電路產業誕生於六十年代，共經歷了三個發展階段：
1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；
1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化；
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以cad為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。
